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我国研制出实用深紫外光刻机

核心提示: 近日,中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机(Mask aligner),光刻分辨力达到500nm。
(a)设备外观图;(b)设备输出光谱实测曲线。 近日,中国科学院光电技术研究所微电子专用设备研发团队研制成功波长254nm的实用深紫外光刻机(Mask aligner),光刻分辨力达到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低,一直是使用面最广、使用数量最多的一种光刻设备。在现有的微纳加工工艺中,光刻所采用的波段是决定光刻分辨力的重要因素之一。长期以来,国产Mask aligner均采用紫外波段(350nm至450nm),分辨力只能做到1μm以上。而对于200nm至1μm的微纳器件复制,只能采用进口紫外投影光刻机,200nm以下分辨力则只能采用进口深紫外投影光刻机。光电所该型设备的成功研制,填补了国内商用化深紫外光刻机的空白,可低成本解决500nm以上器件的高效复制,具有很好的社会经济效益。 光电所微电子专用设备研发团队成功解决了低成本深紫外光源、深紫外高均匀性匀光技术、新型深紫外介质膜镀膜技术以及非球面准直技术等诸多难点。该型设备仅需通过更换滤光模块,便可实现紫外、中紫外波段、深紫外波段的相互切换。同时,该型设备以光电所URE-2000系列紫外光刻机为基台(已经销售550台,其中出口30多台),配有高精度对准模块、真空曝光模式、双面曝光模式、纳米压印模式、接近式模式、数字设定曝光间隙等诸多功能供用户选择或定制,能满足不同光刻工艺需求。该设备自动化程度高、操作十分方便、外形美观。该型设备的成功研制,是光电所光刻机团队将光刻工艺需求与设备研发紧密结合的产物,市场前景十分广阔。 光电所研发团队还积极与潜在用户单位进行需求沟通和工艺探索,利用中紫外波段(峰值波长310nm)在光敏玻璃(FOTURANII)上完成了高深宽比结构的制备直接光刻,设备已经销售数台,并与德国肖特(SCHOTT)公司达成合作协议。 
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